时间：2025/5/28 10:39:34
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GA1210A682JBAAT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，采用先进的半导体工艺制造。该器件具有低导通电阻、快速开关速度和出色的热性能，广泛应用于电源管理、电机驱动和工业控制等领域。
该型号属于 N 沟道增强型 MOSFET，能够承受较高的电压和电流负载，同时具备良好的耐用性和可靠性，适合多种高频和大功率应用场景。
最大漏源电压：120V
连续漏极电流：68A
导通电阻：1.5mΩ
栅极电荷：95nC
输入电容：2540pF
反向恢复时间：75ns
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
1. 低导通电阻，减少功率损耗，提升效率。
2. 快速开关特性，适用于高频应用。
3. 高电流承载能力，满足大功率需求。
4. 优秀的热稳定性，能够在极端温度条件下可靠运行。
5. 小型封装设计，节省电路板空间。
6. 具备较强的抗浪涌能力和鲁棒性，适用于严苛环境下的应用。
1. 开关电源（SMPS）
2. 电机驱动与控制
3. 工业逆变器
4. 太阳能微逆变器
5. 电动汽车充电系统
6. LED 驱动电路
7. DC-DC 转换器
8. 电池管理系统（BMS）
GA1210A682JBAAT21G, IRFZ44N, FDP55N12
