GA1210A682GBBAR31G 是一款高性能的存储芯片,通常用于数据存储和缓存系统中。该芯片采用先进的制造工艺,具有高密度、低功耗的特点,适合应用于企业级服务器、网络设备以及消费类电子产品等领域。
该芯片内部集成了多个存储单元,并通过优化的架构设计实现了快速的数据访问和传输能力。同时,其封装形式紧凑,便于在空间受限的环境中使用。
容量:128MB
接口类型:DDR3
工作电压:1.35V
数据速率:1600MT/s
封装形式:BGA
引脚数:256
工作温度范围:-40℃至+85℃
存储密度:1Gb
GA1210A682GBBAR31G 具有以下显著特性:
1. 高速数据传输:支持 DDR3 标准,能够以高达 1600MT/s 的速率进行数据传输。
2. 低功耗设计:工作电压为 1.35V,相比传统存储芯片能有效降低能耗。
3. 紧凑型封装:采用 BGA 封装形式,体积小巧,适合高密度集成的应用场景。
4. 宽温工作范围:能够在 -40℃ 至 +85℃ 的温度范围内稳定运行,适应各种恶劣环境。
5. 可靠性高:经过严格的测试和筛选,确保长期使用的可靠性。
该芯片广泛应用于以下领域:
1. 企业级服务器:作为缓存或内存扩展模块,提升服务器性能。
2. 网络通信设备:用于路由器、交换机等设备中的数据缓冲和临时存储。
3. 消费类电子产品:如高端笔记本电脑、平板电脑等需要大容量高速存储的应用场景。
4. 工业控制:在工业自动化设备中提供可靠的数据存储功能。
GA1210A642GBBAR31G
GA1210A512GBBAR31G
MT16ASG512M16HA-2G-EK