您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > GA1210A682GBBAR31G

GA1210A682GBBAR31G 发布时间 时间:2025/6/12 5:31:22 查看 阅读:8

GA1210A682GBBAR31G 是一款高性能的存储芯片,通常用于数据存储和缓存系统中。该芯片采用先进的制造工艺,具有高密度、低功耗的特点,适合应用于企业级服务器、网络设备以及消费类电子产品等领域。
  该芯片内部集成了多个存储单元,并通过优化的架构设计实现了快速的数据访问和传输能力。同时,其封装形式紧凑,便于在空间受限的环境中使用。

参数

容量:128MB
  接口类型:DDR3
  工作电压:1.35V
  数据速率:1600MT/s
  封装形式:BGA
  引脚数:256
  工作温度范围:-40℃至+85℃
  存储密度:1Gb

特性

GA1210A682GBBAR31G 具有以下显著特性:
  1. 高速数据传输:支持 DDR3 标准,能够以高达 1600MT/s 的速率进行数据传输。
  2. 低功耗设计:工作电压为 1.35V,相比传统存储芯片能有效降低能耗。
  3. 紧凑型封装:采用 BGA 封装形式,体积小巧,适合高密度集成的应用场景。
  4. 宽温工作范围:能够在 -40℃ 至 +85℃ 的温度范围内稳定运行,适应各种恶劣环境。
  5. 可靠性高:经过严格的测试和筛选,确保长期使用的可靠性。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 企业级服务器:作为缓存或内存扩展模块,提升服务器性能。
  2. 网络通信设备:用于路由器、交换机等设备中的数据缓冲和临时存储。
  3. 消费类电子产品:如高端笔记本电脑、平板电脑等需要大容量高速存储的应用场景。
  4. 工业控制:在工业自动化设备中提供可靠的数据存储功能。

替代型号

GA1210A642GBBAR31G
  GA1210A512GBBAR31G
  MT16ASG512M16HA-2G-EK

GA1210A682GBBAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容6800 pF
  • 容差±2%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-