GA1210A682FBCAT31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,专为高效率开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等应用设计。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术,具备低导通电阻和快速开关特性,从而显著降低功耗并提高系统效率。
这款芯片主要应用于工业控制、通信设备、消费电子以及汽车电子等领域,能够满足各种复杂环境下的功率管理需求。
型号:GA1210A682FBCAT31G
类型:N沟道增强型MOSFET
封装形式:TO-247-3L
最大漏源电压(V_DS):1200V
最大栅源电压(V_GS):±20V
连续漏极电流(I_D):68A
导通电阻(R_DS(on)):3.5mΩ(典型值,在V_GS=15V时)
总栅极电荷(Q_g):120nC
开关频率:最高支持500kHz
工作温度范围:-55℃至+175℃
GA1210A682FBCAT31G具有以下关键特性:
1. 超低导通电阻:在高电流应用场景下能有效减少导通损耗,提升整体效率。
2. 快速开关能力:得益于其优化的栅极电荷设计,该器件能够在高频条件下实现高效运行。
3. 高耐压性能:1200V的额定电压使其非常适合高压电力电子应用。
4. 增强的热稳定性:即使在极端高温环境下也能保持稳定的电气性能。
5. 紧凑型封装:采用TO-247-3L封装,便于安装且散热性能优异。
6. 可靠性高:经过严格的测试与筛选,确保在恶劣工况下的长期可靠性。
GA1210A682FBCAT31G广泛适用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS):用于AC-DC和DC-DC转换中的主开关管。
2. 电机驱动:驱动直流无刷电机、步进电机等负载。
3. 太阳能逆变器:作为功率级的核心元件,参与能量转换过程。
4. 工业控制:如焊接设备、不间断电源(UPS)等需要大功率处理的应用。
5. 汽车电子:电动车牵引逆变器以及其他车载电力系统中的功率管理模块。
6. 其他高压、高电流场景下的功率转换和调节任务。
GA1210A682FBCAT32G, IRFP260N, STW83N120K5