时间：2025/6/27 10:18:43
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GA1210A561GBBAR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他需要高效功率转换的应用场景。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，能够显著提高系统的效率并降低功耗。
该芯片属于N沟道增强型MOSFET，其设计旨在满足高电流和高频率应用的需求。通过优化的结构设计，GA1210A561GBBAR31G在高温环境下也能保持稳定的性能表现。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：1200V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
持续漏极电流(Id)：20A
导通电阻(Rds(on))：0.12Ω
总栅极电荷(Qg)：85nC
输入电容(Ciss)：2500pF
输出电容(Coss)：150pF
反向传输电容(Crss)：65pF
工作温度范围：-55℃ to +175℃
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗。
2. 快速开关能力，适用于高频应用场景。
3. 高击穿电压设计，确保在高压环境下的可靠运行。
4. 热稳定性强，在极端温度条件下依然能保持良好的性能。
5. 采用D2PAK封装形式，便于散热和安装。
6. 符合RoHS标准，绿色环保。
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
3. 新能源领域，如太阳能逆变器和电动汽车充电桩。
4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
5. 各类高压DC-DC转换器。
IRFP460, FQA16N120, STW95N120DH5
