您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > GA1210A471JBBAT31G

GA1210A471JBBAT31G 发布时间 时间:2025/5/30 16:59:43 查看 阅读:9

GA1210A471JBBAT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,采用先进的半导体制造工艺设计,适用于高效率开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等应用。该器件具有较低的导通电阻和较高的开关速度,能够有效降低功耗并提升系统性能。
  该型号属于 N 沟道增强型 MOSFET,支持高频开关操作,同时具备良好的热稳定性和电气特性。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:18A
  导通电阻(典型值):4.5mΩ
  栅极电荷:35nC
  反向恢复时间:9ns
  工作结温范围:-55℃ 至 175℃

特性

GA1210A471JBBAT31G 具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗,提高整体效率。
  2. 高速开关能力,支持高频应用,可显著减小磁性元件体积。
  3. 较高的雪崩能量耐受能力,确保在异常条件下仍能可靠运行。
  4. 优化的栅极电荷设计,进一步降低了驱动损耗。
  5. 强大的散热性能,适应高温环境下的长时间工作。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且适合现代工业需求。

应用

该芯片广泛应用于各种电力电子设备中,具体包括:
  1. 开关模式电源(SMPS),如 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
  2. 各类电机驱动电路,例如无刷直流电机控制器。
  3. 工业自动化领域的负载开关和保护电路。
  4. 太阳能逆变器中的功率级开关元件。
  5. 汽车电子系统的电源管理模块。

替代型号

GA1210A471JBBAT28G, IRFZ44N, FDP5570N

GA1210A471JBBAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容470 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-