时间：2025/6/29 3:27:02
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GA1210A471GXAAT31G是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要用于开关电源、电机驱动和负载切换等应用。该芯片采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高效率和出色的热性能，适用于要求高可靠性和高效能的电子设备中。
该型号中的关键参数如封装形式、电压等级和电流容量都经过优化设计，以满足现代电子系统对功率转换和控制的需求。
类型：N沟道 MOSFET
最大漏源电压(Vds)：120V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：47A
导通电阻(Rds(on))：4.5mΩ
栅极电荷(Qg)：68nC
输入电容(Ciss)：2550pF
反向传输电容(Crss)：290pF
结温范围：-55℃ 至 +175℃
GA1210A471GXAAT31G具备以下显著特点：
1. 极低的导通电阻，有助于减少导通损耗并提高整体效率。
2. 快速开关速度，适合高频应用环境。
3. 优秀的热稳定性，能够在高温条件下长时间稳定运行。
4. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常情况下的耐受性。
5. 小型化封装设计，便于在空间受限的应用场景中使用。
6. 符合RoHS标准，环保且安全可靠。
这款MOSFET广泛应用于各类功率转换和控制场景，包括但不限于以下领域：
1. 开关模式电源(SMPS)，如AC-DC适配器和充电器。
2. 工业电机驱动与控制。
3. 汽车电子系统中的负载切换。
4. 通信电源和不间断电源(UPS)。
5. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统。
6. 各种消费类电子产品中的功率管理模块。
GA1210A471GXAAQ31G
IRFZ44N
STP100N10F5
FDP150N10A
