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GA1210A392JBBAR31G 发布时间 时间:2025/5/26 20:38:41 查看 阅读:13

GA1210A392JBBAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于开关电源、电机驱动和负载切换等应用领域。该芯片采用先进的半导体制造工艺,具备低导通电阻和快速开关特性,能够显著提高系统的效率和稳定性。
  该型号中的部分字母和数字可能代表封装形式、电气参数或制造商内部的版本标识。例如,'GA1210A' 可能表示产品的系列代号,而后续字符则定义了具体的工作电压、电流能力和封装类型。

参数

最大漏源电压:120V
  最大连续漏极电流:10A
  导通电阻:3.9mΩ
  栅极电荷:75nC
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-247

特性

GA1210A392JBBAR31G 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可以降低导通损耗,提升整体效率。
  2. 快速开关能力,适合高频应用场合。
  3. 高雪崩能量耐受能力,确保在异常情况下也能稳定运行。
  4. 具备良好的热性能,适用于高功率密度设计。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。
  这些特性使 GA1210A392JBBAR31G 成为工业级和消费级电子设备的理想选择。

应用

这款功率 MOSFET 主要应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关管。
  2. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
  3. 汽车电子系统中的负载切换。
  4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
  5. 太阳能逆变器和其他新能源转换系统。
  其广泛的适用性来源于其出色的电气特性和可靠性。

替代型号

IRFZ44N
  FDP5560
  AON6804

GA1210A392JBBAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容3900 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-