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GA1210A391KXEAT31G 发布时间 时间:2025/5/26 15:06:05 查看 阅读:11

GA1210A391KXEAT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,专为高效率开关应用设计。该芯片采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术,具有低导通电阻和快速开关特性,能够显著降低功率损耗并提高系统效率。
  该器件适用于 DC-DC 转换器、电源管理模块、电机驱动以及负载开关等应用领域,其封装形式为 TO-263,确保了良好的散热性能和可靠性。

参数

型号:GA1210A391KXEAT31G
  类型:N-Channel MOSFET
  工作电压(Vds):60V
  栅极驱动电压(Vgs):10V
  最大漏极电流(Id):45A
  导通电阻(Rds(on)):2.5mΩ
  功耗(Pd):170W
  封装形式:TO-263
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C

特性

GA1210A391KXEAT31G 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(2.5mΩ),可有效减少传导损耗,提升整体效率。
  2. 快速开关能力,支持高频操作,适合现代高效能转换器。
  3. 高电流承载能力(高达 45A),满足高功率应用需求。
  4. 提供出色的热稳定性,能够在极端温度条件下可靠运行。
  5. 具备 ESD 保护功能,增强器件的抗静电能力。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且安全。

应用

这款功率 MOSFET 主要应用于以下场景:
  1. 开关模式电源(SMPS)和 DC-DC 转换器中的主开关元件。
  2. 工业设备中的电机驱动电路。
  3. 电池管理系统(BMS)中的负载控制。
  4. 各类电子设备中的负载开关和保护电路。
  5. 汽车电子系统中的电源管理单元。
  6. 高效能源转换解决方案中的核心组件。

替代型号

IRFZ44N
  FDP5800
  STP45NF06L

GA1210A391KXEAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容390 pF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定500V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-