GA1210A391KXEAT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,专为高效率开关应用设计。该芯片采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术,具有低导通电阻和快速开关特性,能够显著降低功率损耗并提高系统效率。
该器件适用于 DC-DC 转换器、电源管理模块、电机驱动以及负载开关等应用领域,其封装形式为 TO-263,确保了良好的散热性能和可靠性。
型号:GA1210A391KXEAT31G
类型:N-Channel MOSFET
工作电压(Vds):60V
栅极驱动电压(Vgs):10V
最大漏极电流(Id):45A
导通电阻(Rds(on)):2.5mΩ
功耗(Pd):170W
封装形式:TO-263
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
GA1210A391KXEAT31G 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻(2.5mΩ),可有效减少传导损耗,提升整体效率。
2. 快速开关能力,支持高频操作,适合现代高效能转换器。
3. 高电流承载能力(高达 45A),满足高功率应用需求。
4. 提供出色的热稳定性,能够在极端温度条件下可靠运行。
5. 具备 ESD 保护功能,增强器件的抗静电能力。
6. 符合 RoHS 标准,环保且安全。
这款功率 MOSFET 主要应用于以下场景:
1. 开关模式电源(SMPS)和 DC-DC 转换器中的主开关元件。
2. 工业设备中的电机驱动电路。
3. 电池管理系统(BMS)中的负载控制。
4. 各类电子设备中的负载开关和保护电路。
5. 汽车电子系统中的电源管理单元。
6. 高效能源转换解决方案中的核心组件。
IRFZ44N
FDP5800
STP45NF06L