您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > GA1210A331FXBAR31G

GA1210A331FXBAR31G 发布时间 时间:2025/5/28 10:40:09 查看 阅读:7

GA1210A331FXBAR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等应用。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和高效率的特点,能够显著降低功耗并提高系统的整体性能。
  这款MOSFET为N沟道增强型场效应晶体管,其设计优化了开关速度与热性能,适用于需要高效能及快速响应的应用场景。此外,该器件封装形式紧凑,适合于空间受限的设计环境。

参数

最大漏源电压:100V
  连续漏极电流:33A
  导通电阻:3.5mΩ
  栅极电荷:45nC
  开关时间:10ns
  工作温度范围:-55℃至175℃

特性

GA1210A331FXBAR31G具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗,提升系统效率。
  2. 快速的开关速度,能够支持高频操作,满足现代电力电子设备的需求。
  3. 高度可靠的结构设计,能够在极端温度环境下稳定运行。
  4. 小型化的封装,便于在紧凑型电路板中进行布局。
  5. 出色的热性能,确保长时间工作时的稳定性与安全性。

应用

该器件广泛应用于多种领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关或同步整流元件。
  2. DC-DC转换器的核心功率器件,用于实现高效的电压转换。
  3. 电机驱动电路中的功率开关,控制电机的启动、停止及调速。
  4. 太阳能逆变器中的功率管理组件,助力绿色能源的高效利用。
  5. 各类工业自动化设备中的功率控制单元。

替代型号

IRF3205
  FDP5800
  STP36NF06

GA1210A331FXBAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容330 pF
  • 容差±1%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-