GA1210A272JBAAT31G 是一款由日本知名厂商村田制作所(Murata)生产的多层陶瓷片式电容器(MLCC)。该型号属于GRM系列,主要应用于需要高稳定性和低ESL(等效串联电感)的高频电路中。其采用X7R介质材料,具有出色的温度特性和频率特性,适用于各种消费电子、通信设备以及工业控制领域。
容量:2.7nF
额定电压:100V
尺寸:1210英寸(3.2mm x 2.5mm)
公差:±20%
介质材料:X7R
封装类型:表面贴装(SMD)
工作温度范围:-55℃ 至 +125℃
符合标准:RoHS, REACH
GA1210A272JBAAT31G 使用X7R介质材料,这种材料在宽温度范围内表现出稳定的电容值变化特性,温度系数小于±15%。此外,该电容器具备低ESL和低ESR(等效串联电阻),非常适合用于高频滤波和去耦应用。
其表面贴装设计使其易于自动化生产,并且具备较高的机械强度,能够承受焊接过程中的热冲击。同时,该型号通过了多项国际环保认证,如RoHS和REACH,确保在制造和使用过程中对环境的影响降到最低。
由于其小型化的设计和卓越的电气性能,这款电容器被广泛应用于智能手机、平板电脑、网络设备、电源模块等产品中。
GA1210A272JBAAT31G 主要用于高频电路中的信号滤波、电源去耦、噪声抑制等功能。具体应用场景包括:
1. 高速数字电路中的电源滤波
2. 射频(RF)电路中的匹配和滤波
3. 开关电源模块中的输出滤波
4. 音频设备中的信号处理
5. 工业控制系统的信号调理
6. 消费电子产品中的EMI抑制
其优良的温度特性和频率响应特性使得它成为许多高性能电路的理想选择。
C1210C272J5GACTU
ECJ-R12A272JV
CCG1210J272M9NA
DKD1210X5R2J272K