GA1210A272GBBAT31G 是一款高性能的存储芯片,属于 NAND Flash 存储器系列。该型号采用 MLC(多层单元)技术,支持高密度数据存储和快速读写操作。它广泛应用于消费电子、嵌入式系统以及工业控制等领域。
该芯片具备强大的耐用性和可靠性,适合需要频繁数据存取的应用场景。其封装形式为 BGA(球栅阵列),能够有效减少体积并提高信号传输效率。
容量:128GB
数据传输速率:400MB/s
擦写次数:3000次
工作温度范围:-25℃ 至 +85℃
封装形式:BGA
引脚数:169
GA1210A272GBBAT31G 具备以下显著特性:
1. 高存储密度:单颗芯片即可提供高达 128GB 的存储空间,满足现代设备对大容量存储的需求。
2. 快速读写性能:采用 Toggle Mode 2.0 接口,数据传输速率高达 400MB/s,确保高效的数据处理能力。
3. 耐用性强:MLC 技术提供了较高的擦写寿命,适合需要频繁更新数据的应用场景。
4. 广泛的工作温度范围:能够在 -25℃ 至 +85℃ 的环境下稳定运行,适用于各种气候条件下的应用。
5. 小型化设计:BGA 封装形式有效减小了芯片的体积,便于在紧凑型设备中使用。
GA1210A272GBBAT31G 主要应用于以下领域:
1. 消费类电子产品:如智能手机、平板电脑和数码相机等,用于存储用户数据和多媒体文件。
2. 嵌入式系统:包括工控机、智能家居设备和车载信息娱乐系统等,提供可靠的存储解决方案。
3. 工业控制:在工业自动化设备中用于存储配置参数和运行记录。
4. 固态硬盘 (SSD):作为核心存储组件,提升 SSD 的整体性能和容量。
5. 医疗设备:用于存储诊断数据和患者信息,保证数据的安全性和完整性。
GA1210A271GBBAT31G, GA1210A273GBBAT31G