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GA1210A221JXAAR31G 发布时间 时间:2025/6/6 17:10:37 查看 阅读:4

GA1210A221JXAAR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,专为需要高效率和低损耗的应用场景设计。该器件采用先进的制造工艺,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,适用于电源管理、电机驱动、工业自动化等领域的电路设计。
  这款芯片通过优化的封装形式和内部结构设计,具备出色的热性能和电气性能,能够满足复杂电路环境下的稳定运行需求。

参数

型号:GA1210A221JXAAR31G
  类型:N-Channel MOSFET
  额定电压:120V
  额定电流:30A
  导通电阻(典型值):1.8mΩ
  栅极电荷:35nC
  连续漏极电流:30A
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-247

特性

GA1210A221JXAAR31G 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可有效降低功耗并提高系统效率。
  2. 高速开关能力,支持高频应用场合。
  3. 优异的热稳定性,能够在高温环境下长时间稳定工作。
  4. 强大的过流能力和短路保护功能,增强了器件的可靠性。
  5. 符合RoHS标准,环保且适合现代电子产品的生产要求。
  6. 封装形式坚固耐用,便于散热和集成到复杂电路中。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)和直流-直流转换器。
  2. 电机驱动和控制电路。
  3. 太阳能逆变器和储能系统。
  4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
  5. 电动车和混合动力汽车的动力管理系统。
  6. 通信电源和不间断电源(UPS)。

替代型号

GA1210A221JXAAR32G, IRFZ44N, FDP5570

GA1210A221JXAAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容220 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-