时间：2025/7/9 13:20:33
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GA1210A182KXLAR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片，专为高频开关应用设计。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和高效率的特性，适用于各类电源管理、DC-DC转换器以及电机驱动等场景。
这款芯片具有出色的热性能和电气稳定性，能够显著降低功率损耗并提升系统整体效率。其封装形式经过优化，适合表面贴装技术（SMT），便于自动化生产和高效散热。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压Vds：60V
最大栅源电压Vgs：±20V
最大持续漏极电流Id：45A
导通电阻Rds(on)：2.5mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
总功耗Ptot：170W
工作温度范围Tj：-55℃至+175℃
封装形式：TO-247
1. 极低的导通电阻，可有效减少功率损耗。
2. 高速开关性能，支持高频应用场合。
3. 具备出色的热稳定性和抗浪涌能力。
4. 栅极电荷Qg较小，驱动更加简单且高效。
5. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
6. 耐用性强，能够在恶劣环境下长期可靠运行。
7. 封装结构紧凑，易于集成到各种电路中。
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC转换器的核心功率器件。
3. 电机驱动控制电路中的功率级元件。
4. 各类负载切换和保护电路。
5. 工业设备及汽车电子系统的功率管理模块。
6. 高效逆变器和光伏系统中的功率调节单元。
IRFP2907ZPBF, FDP5800TRPBF, STP12NK60Z
