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GA1210A182JBLAT31G 发布时间 时间:2025/6/3 9:29:18 查看 阅读:4

GA1210A182JBLAT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,专为高效率、低损耗的应用场景设计。该芯片采用先进的半导体工艺制造,具有出色的开关特性和较低的导通电阻,能够显著提高电源转换效率和系统可靠性。
  其主要用途包括开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等应用领域。此外,该器件具备强大的过流保护和热关断功能,确保在极端条件下也能安全运行。

参数

型号:GA1210A182JBLAT31G
  类型:N沟道功率MOSFET
  Vds(漏源极电压):60V
  Rds(on)(导通电阻):1.8mΩ
  Id(连续漏极电流):100A
  Qg(栅极电荷):45nC
  Vgs(th)(阈值电压):2.5V
  fsw(最大工作频率):1MHz
  封装形式:TO-247-3

特性

GA1210A182JBLAT31G 的核心优势在于其超低的导通电阻 Rds(on),仅为 1.8mΩ,从而大幅降低了导通损耗并提高了整体效率。此外,该器件的工作频率高达 1MHz,非常适合高频开关应用。
  其 60V 的耐压能力使得它能够在多种工业级电压环境下稳定运行,同时支持高达 100A 的连续漏极电流输出,保证了大功率需求下的性能表现。
  内置的过流保护和热关断机制进一步提升了产品的可靠性和安全性,减少了因过载或异常情况导致的损坏风险。
  另外,该芯片的栅极电荷 Qg 较小,仅为 45nC,这有助于降低开关损耗并提高动态响应速度。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源 (Switching Power Supplies)
  2. DC-DC 转换器
  3. 电机驱动 (Motor Drivers)
  4. 电池管理系统 (Battery Management Systems)
  5. 高效负载开关 (Efficient Load Switches)
  6. 工业自动化设备中的功率控制模块
  7. 新能源汽车相关的逆变器与充电系统
  由于其高效、稳定的特性,GA1210A182JBLAT31G 成为许多需要高功率密度解决方案的理想选择。

替代型号

IRF3205, SI4945DY, FDP5500NL

GA1210A182JBLAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容1800 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定630V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-