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GA1210A182GBBAR31G 发布时间 时间:2025/6/3 15:24:20 查看 阅读:6

GA1210A182GBBAR31G 是一款高性能的工业级功率 MOSFET 芯片,广泛应用于电源管理、电机驱动以及各类开关电路中。该芯片采用了先进的制造工艺,具有较低的导通电阻和快速的开关特性,能够在高效率和低损耗的情况下运行。其封装形式适合表面贴装技术(SMT),能够满足现代电子设备对小型化和高效能的需求。
  该器件属于 N 沟道增强型场效应晶体管,适用于需要高电流输出和高频开关的场景。由于其出色的电气性能和稳定性,这款芯片在汽车电子、通信设备以及消费类电子产品中均有广泛应用。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:40A
  导通电阻:1.5mΩ
  栅极电荷:35nC
  输入电容:1200pF
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-263(D2PAK)

特性

1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有效降低功耗并提升系统效率。
  2. 高速开关能力,支持高达 2MHz 的工作频率。
  3. 内置 ESD 保护功能,增强芯片在恶劣环境中的可靠性。
  4. 采用坚固耐用的封装设计,具备良好的散热性能。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且支持无铅焊接工艺。
  6. 宽泛的工作温度范围使其适合各种工业和汽车应用环境。

应用

1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
  2. 电机驱动电路中的功率放大元件。
  3. 各种负载切换和保护电路。
  4. 汽车电子系统中的逆变器和控制器。
  5. 通信设备中的高频信号处理模块。
  6. 工业自动化设备中的电源管理和驱动单元。

替代型号

GA1210A190GBBAR31G
  IRF3205
  STP55NF06L

GA1210A182GBBAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容1800 pF
  • 容差±2%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-