GA1210A182FBEAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,属于 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺,能够提供低导通电阻和高开关速度,适用于多种电源管理应用,包括 DC-DC 转换器、电机驱动、负载开关等。其封装形式为 SOT-23 封装,具有紧凑的尺寸和良好的散热性能。
该芯片的主要特点是能够在高频条件下高效工作,同时具备出色的耐用性和稳定性,是现代电子设计中常用的功率器件之一。
最大漏源电压:30V
连续漏极电流:3.9A
导通电阻(Rds(on)):50mΩ
栅极电荷:4nC
输入电容:120pF
开关速度:快速
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
GA1210A182FBEAR31G 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻,可显著降低功耗并提高效率。
2. 高开关速度,适合高频应用。
3. 小型化封装,节省 PCB 空间。
4. 高电流承载能力,满足大功率需求。
5. 宽工作温度范围,确保在恶劣环境下的稳定运行。
6. 内置 ESD 保护,增强了器件的可靠性。
7. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。
该器件广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
2. DC-DC 转换器的核心功率开关。
3. 电池管理系统的充放电控制。
4. 各种便携式电子设备中的负载开关。
5. 工业自动化中的电机驱动与控制。
6. LED 驱动电路的功率开关元件。
IRF7404, AO3400, FDMQ8203