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GA1210A182FBEAR31G 发布时间 时间:2025/6/9 13:21:26 查看 阅读:22

GA1210A182FBEAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,属于 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺,能够提供低导通电阻和高开关速度,适用于多种电源管理应用,包括 DC-DC 转换器、电机驱动、负载开关等。其封装形式为 SOT-23 封装,具有紧凑的尺寸和良好的散热性能。
  该芯片的主要特点是能够在高频条件下高效工作,同时具备出色的耐用性和稳定性,是现代电子设计中常用的功率器件之一。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:3.9A
  导通电阻(Rds(on)):50mΩ
  栅极电荷:4nC
  输入电容:120pF
  开关速度:快速
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃

特性

GA1210A182FBEAR31G 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,可显著降低功耗并提高效率。
  2. 高开关速度,适合高频应用。
  3. 小型化封装,节省 PCB 空间。
  4. 高电流承载能力,满足大功率需求。
  5. 宽工作温度范围,确保在恶劣环境下的稳定运行。
  6. 内置 ESD 保护,增强了器件的可靠性。
  7. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。

应用

该器件广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
  2. DC-DC 转换器的核心功率开关。
  3. 电池管理系统的充放电控制。
  4. 各种便携式电子设备中的负载开关。
  5. 工业自动化中的电机驱动与控制。
  6. LED 驱动电路的功率开关元件。

替代型号

IRF7404, AO3400, FDMQ8203

GA1210A182FBEAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容1800 pF
  • 容差±1%
  • 电压 - 额定500V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-