GA1210A181GBEAT31G 是一款高性能的存储芯片,主要用于大容量数据存储应用。该芯片基于先进的闪存技术,提供高可靠性、低功耗和快速读写性能。适用于企业级服务器、数据中心、工业设备等需要高稳定性和大容量存储的场景。
该型号具体集成了 NAND Flash 技术,支持多级单元(MLC)或三级单元(TLC),能够在有限的空间内实现更高的存储密度。
容量:128GB
接口类型:SATA III
工作电压:3.3V
读取速度:550 MB/s
写入速度:520 MB/s
擦写寿命:3000 次(MLC)
工作温度:-40°C 至 +85°C
封装形式:BGA
尺寸:45mm x 30mm x 3.6mm
GA1210A181GBEAT31G 的主要特性包括以下几点:
1. 高容量设计:采用先进的制程工艺,单颗芯片即可提供高达 128GB 的存储空间。
2. 快速传输性能:支持 SATA III 接口,能够实现高达 550MB/s 的读取速度和 520MB/s 的写入速度。
3. 稳定性与耐用性:具备强大的 ECC 校验功能,显著提升数据完整性,并且支持高达 3000 次的擦写寿命(针对 MLC 类型)。
4. 广泛的工作温度范围:可在极端环境下运行,支持从 -40°C 到 +85°C 的宽温范围。
5. 节能设计:采用低功耗架构,有效降低整体系统能耗。
该芯片适用于多种需要高容量存储和高可靠性的场合,典型应用包括:
1. 企业级存储设备:如 RAID 系统、NAS 和 SAN 设备。
2. 数据中心:用于服务器缓存或备份存储。
3. 嵌入式系统:如工业控制设备、医疗仪器和监控录像设备。
4. 移动计算设备:可作为笔记本电脑或其他便携式设备的固态硬盘组件。
GA1210A181GBEAT32G, GA1210A181GBEAT64G