时间：2025/6/22 12:48:35
阅读：4
GA1210A151KXEAR31G 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效率功率晶体管，专为高频和高功率应用设计。该器件采用了先进的 GaN-on-Silicon 工艺，具有低导通电阻、快速开关特性和高击穿电压等特点。其封装形式适合表面贴装技术 (SMT)，能够满足现代电源管理系统的严格要求。此型号特别适用于电信、工业和消费电子领域中的高频 DC-DC 转换器、功率因数校正 (PFC) 电路以及无线充电设备。
相比传统的硅基 MOSFET，该器件在高频工作条件下表现出了显著的性能提升，可有效降低开关损耗并提高整体系统效率。
类型：功率晶体管
材料：氮化镓 (GaN)
最大漏源电压：600V
最大连续漏极电流：10A
导通电阻：15mΩ
栅极电荷：90nC
开关频率范围：高达 5MHz
封装形式：TO-247-4L
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
存储温度范围：-65℃ 至 +150℃
1. 极低的导通电阻（15mΩ），显著减少传导损耗。
2. 高击穿电压（600V），确保在高压环境下的可靠运行。
3. 快速开关特性，支持高达 5MHz 的工作频率，适合高频应用场景。
4. 减少寄生电感的设计优化，进一步提升了效率与稳定性。
5. 采用 TO-247-4L 封装，便于安装和散热管理。
6. 符合 RoHS 标准，环保且无铅工艺。
7. 内置静电防护功能，提高了产品的耐用性。
8. 热阻较低，有助于改善长期工作的温度性能。
1. 高频 DC-DC 转换器
2. 功率因数校正 (PFC) 模块
3. 无线充电发射端
4. 开关电源 (SMPS) 变换器
5. 电动汽车充电设施
6. 工业用逆变器及电机驱动
7. 光伏微逆变器
8. 数据中心供电单元 (PSU)
GAN066-650WSA, TX-G065R085MD, EPC2016C
