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GA1210A151GXLAR31G 发布时间 时间:2025/5/30 22:22:45 查看 阅读:6

GA1210A151GXLAR31G 是一款高性能的功率放大器芯片,主要应用于射频通信领域。该芯片采用先进的半导体工艺制造,能够提供高增益、低噪声和高效率的性能表现。
  其设计目标是满足现代无线通信系统对信号强度和质量的要求,适用于基站、中继站和其他射频设备中的信号放大环节。

参数

型号:GA1210A151GXLAR31G
  工作频率范围:800 MHz - 2.7 GHz
  输出功率:40 dBm
  增益:15 dB
  电源电压:5V
  静态电流:300 mA
  封装形式:QFN-16

特性

GA1210A151GXLAR31G 具有宽广的工作频率范围,能够在多种无线通信标准下运行,例如 GSM、CDMA 和 LTE 等。它采用了高效的线性化技术,可以显著降低失真并提高信号质量。
  此外,该芯片内置了温度补偿功能,能够在极端环境下保持稳定的性能输出。它的低功耗设计也使其非常适合便携式或电池供电的应用场景。
  由于采用了 QFN 封装形式,GA1210A151GXLAR31G 具有较小的尺寸和良好的散热性能,便于在紧凑型电路板上进行布局与安装。

应用

这款芯片广泛应用于无线通信基础设施建设中,包括但不限于:
  1. 移动通信基站
  2. 射频信号增强器
  3. 微波中继设备
  4. 工业、科学及医疗 (ISM) 频段设备
  5. 卫星通信终端
  其出色的性能指标使得 GA1210A151GXLAR31G 成为众多射频系统设计中的理想选择。

替代型号

GA1210A152GXLAR32G

GA1210A151GXLAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容150 pF
  • 容差±2%
  • 电压 - 额定630V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-