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GA1210A151FBBAT31G 发布时间 时间:2025/6/6 17:05:41 查看 阅读:4

GA1210A151FBBAT31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等领域。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够在高频工作条件下提供卓越的效率和可靠性。
  该芯片属于N沟道增强型MOSFET,其设计旨在满足对效率和散热性能要求较高的应用需求。通过优化的结构设计和材料选择,它在降低功耗的同时提升了系统的整体性能。

参数

最大漏源电压:150V
  连续漏极电流:18A
  导通电阻:4.5mΩ
  栅极电荷:65nC
  总电容:1250pF
  工作温度范围:-55℃ 至 175℃
  封装形式:TO-247

特性

GA1210A151FBBAT31G的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,可有效减少导通损耗,提升系统效率。
  2. 高速开关能力,适合高频应用场合。
  3. 较大的漏源电压和漏极电流规格,确保了其在多种应用场景中的稳定性。
  4. 优秀的热性能表现,支持长时间稳定运行。
  5. 可靠的电气性能,在极端温度条件下仍能保持良好的工作状态。
  6. 具备强大的抗雪崩能力,增强了器件的鲁棒性。

应用

这款MOSFET芯片适用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中作为主开关管使用。
  2. 电机驱动电路中的功率级控制。
  3. DC-DC转换器中的同步整流或主开关元件。
  4. 太阳能逆变器和其他能源管理设备中的功率转换模块。
  5. 各种工业自动化设备中的功率调节与保护功能实现。
  6. 负载切换及电池管理系统中的关键组件。

替代型号

GA1210A150FBBAT31G
  IRFZ44N
  FDP5570
  STP18NF50

GA1210A151FBBAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容150 pF
  • 容差±1%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-