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GA1210A151FBAAR31G 发布时间 时间:2025/7/2 14:46:54 查看 阅读:6

GA1210A151FBAAR31G 是一款高性能的 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)芯片,广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电路等领域。该器件具有低导通电阻和快速开关速度的特点,适用于需要高效能和高可靠性的电子设备。
  此型号属于增强型 N 沟道 MOSFET,通过栅极电压控制漏极和源极之间的导通状态。由于其出色的电气性能,特别适合用于 DC-DC 转换器、负载开关以及电池保护等应用中。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:40A
  导通电阻(典型值):2.5mΩ
  栅极电荷:70nC
  开关时间:开通延迟时间 12ns,关断延迟时间 35ns
  工作结温范围:-55°C 至 +175°C

特性

GA1210A151FBAAR31G 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻使得功率损耗更小,提高了整体效率。
  2. 快速的开关速度有助于降低开关损耗并支持高频操作。
  3. 高雪崩能量能力增强了器件在异常条件下的耐用性。
  4. 小型封装设计节省了 PCB 空间,同时保持良好的散热性能。
  5. 宽泛的工作温度范围使其能够在各种恶劣环境下正常运行。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。

应用

这款 MOSFET 主要应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流。
  2. 电机驱动电路中的半桥或全桥配置。
  3. 电池管理系统中的负载开关。
  4. 工业自动化设备中的功率控制。
  5. 汽车电子系统中的高边/低边开关。
  6. 通信电源和适配器中的高效功率转换。

替代型号

GA1210A151FBAAR31H, IRF3205, AO3400

GA1210A151FBAAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容150 pF
  • 容差±1%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-