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GA1210A123GXBAT31G 发布时间 时间:2025/6/21 9:24:08 查看 阅读:5

GA1210A123GXBAT31G是一款高性能的功率放大器芯片,主要用于无线通信系统中的射频信号放大。该芯片采用了先进的半导体工艺技术,能够在高频段下提供高增益、高效率以及低失真的性能表现。
  此芯片适用于多种无线通信场景,包括蜂窝基站、点对点微波通信以及卫星通信等领域。通过优化的电路设计和封装形式,GA1210A123GXBAT31G在工作温度范围内的稳定性和可靠性得到了显著提升。

参数

类型:功率放大器
  频率范围:1.8GHz - 2.5GHz
  增益:24dB
  输出功率:40dBm
  效率:55%
  电源电压:12V
  静态电流:300mA
  封装形式:QFN-32
  工作温度:-40°C 至 +85°C

特性

该芯片具有以下主要特性:
  1. 高线性度:通过内置预失真电路,能够有效降低信号失真,满足现代通信系统对于信号质量的严格要求。
  2. 宽带支持:覆盖多个通信频段,减少不同应用场合下的器件更换需求。
  3. 热管理优秀:采用高效散热封装设计,确保在高功率输出时的长期稳定性。
  4. 内置保护功能:集成了过热保护、过流保护等多种保护机制,提高系统的可靠性和安全性。
  5. 易于集成:兼容主流射频架构,简化了外围电路设计,缩短产品开发周期。

应用

GA1210A123GXBAT31G广泛应用于以下领域:
  1. 蜂窝基站:为2G/3G/4G网络中的宏基站和小基站提供稳定的射频信号放大功能。
  2. 微波通信:在点对点或点对多点的微波传输系统中,作为关键组件实现长距离高质量通信。
  3. 卫星通信:用于地面终端设备中,提升上行链路信号强度,改善通信质量。
  4. 工业物联网:为需要高功率射频信号传输的工业应用场景提供技术支持。
  5. 测试测量:应用于各类射频测试仪器中,提供精确可控的信号源。

替代型号

GA1210A123GXBAT32H, GA1210A123GXBAT31F

GA1210A123GXBAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.012 μF
  • 容差±2%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-