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GA1210A122JXEAR31G 发布时间 时间:2025/6/6 17:11:48 查看 阅读:4

GA1210A122JXEAR31G是一款高性能的射频功率放大器芯片,广泛应用于无线通信领域。该芯片基于先进的GaAs(砷化镓)工艺制造,能够提供高增益、高线性和低失真的性能表现,适用于4G LTE和5G NR基站等场景中的射频信号放大需求。
  这款芯片设计支持宽带频率范围,并具备出色的效率与稳定性,使其成为现代通信系统中不可或缺的关键组件。

参数

型号:GA1210A122JXEAR31G
  工作频率范围:800 MHz - 6 GHz
  输出功率:40 dBm(典型值)
  增益:12 dB(典型值)
  电源电压:28 V
  静态电流:400 mA(典型值)
  效率:50%(典型值)
  封装形式:QFN-16
  工作温度范围:-40℃ 至 +85℃

特性

GA1210A122JXEAR31G具有以下显著特点:
  1. 高输出功率和高效率,能够在宽广的频率范围内保持稳定性能。
  2. 内置匹配网络,简化了外部电路设计并降低了整体复杂度。
  3. 出色的线性度和低互调失真,确保高质量的信号传输。
  4. 紧凑型封装,便于在小型化设备中集成。
  5. 宽泛的工作温度范围,适应各种恶劣环境下的应用需求。
  6. 支持多种通信标准,包括4G LTE、5G NR和其他无线协议。

应用

该芯片主要应用于以下领域:
  1. 4G LTE和5G NR基站中的射频功率放大。
  2. 微波点对点通信系统。
  3. 固定无线接入(FWA)设备。
  4. 卫星通信地面站。
  5. 工业、科学和医疗(ISM)频段设备。
  6. 其他需要高功率射频放大的应用场景。

替代型号

GA1210A121JXEAR31G
  GA1210A123JXEAR31G
  GA1210A124JXEAR31G

GA1210A122JXEAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容1200 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定500V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-