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GA1210A122GBBAT31G 发布时间 时间:2025/5/21 23:15:25 查看 阅读:9

GA1210A122GBBAT31G 是一款高性能的功率放大器芯片,主要用于射频通信领域。该芯片采用先进的工艺技术制造,能够在高频段提供高增益和低失真的信号放大,广泛应用于无线通信设备、基站以及雷达系统中。
  该型号具体包括了对信号放大的优化设计,并在能效和散热性能上有所提升,使其能够适应复杂的射频环境。

参数

工作频率:3.3GHz-4.2GHz
  输出功率:28dBm
  增益:15dB
  电源电压:5V
  静态电流:300mA
  封装形式:QFN32
  工作温度范围:-40℃至+85℃

特性

GA1210A122GBBAT31G 芯片具有以下主要特性:
  1. 高效率的功率放大能力,在高频段表现出色。
  2. 内置匹配网络,简化了外部电路设计。
  3. 具备优秀的线性度,适用于多种通信标准。
  4. 提供稳定的工作性能,能在宽温范围内保持一致性。
  5. 封装小巧,适合空间受限的应用场景。
  6. 集成了保护电路,防止过热和过载情况下的损坏。

应用

该芯片的主要应用场景包括:
  1. 无线通信基础设施中的射频功率放大。
  2. LTE 和 5G 基站的信号增强模块。
  3. 工业级物联网设备的远距离数据传输。
  4. 军用和民用雷达系统的信号处理部分。
  5. 医疗设备中的高频信号放大单元。

替代型号

GA1210A122GBBAT32G, GA1210A122GBBAT33G

GA1210A122GBBAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容1200 pF
  • 容差±2%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-