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GA1210A122GBAAT31G 发布时间 时间:2025/7/4 18:49:35 查看 阅读:15

GA1210A122GBAAT31G是一款高性能的存储芯片,主要应用于数据存储领域。该芯片采用了先进的制造工艺,在容量、速度和可靠性方面表现出色。其设计旨在满足现代电子设备对大容量存储和快速数据访问的需求,广泛用于固态硬盘(SSD)、USB闪存盘以及嵌入式存储解决方案。
  该型号属于NAND Flash系列,支持多级单元(MLC)技术,能够在每个存储单元中保存多个比特的数据,从而实现更高的存储密度。

参数

类型:NAND Flash
  接口:Toggle DDR 2.0
  容量:128Gb (16GB)
  工作电压:1.8V
  封装形式:BGA
  引脚数:84
  工作温度范围:-25°C 至 +85°C
  数据保留时间:10年
  擦写寿命:3000次

特性

GA1210A122GBAAT31G具有高可靠性和稳定性,采用Toggle DDR 2.0接口标准,能够提供高达400MB/s的数据传输速率。
  该芯片支持ECC(错误校验与纠正)功能,可有效减少数据读取过程中的误码率,提升数据完整性。
  此外,其低功耗设计使其非常适合移动设备和便携式电子产品。
  在数据安全性方面,该芯片支持多种保护机制,如坏块管理、磨损均衡以及数据加密等功能,确保用户数据的安全性和持久性。

应用

该芯片主要应用于消费类电子产品的存储解决方案中,例如固态硬盘(SSD)、USB闪存盘、存储卡以及嵌入式系统中的存储模块。
  此外,由于其出色的性能和可靠性,GA1210A122GBAAT31G也被广泛用于工业控制、网络通信以及汽车电子等领域,为这些领域的设备提供稳定的大容量存储支持。

替代型号

GA1210A124GBAAT31G
  GA1210A128GBAAT31G

GA1210A122GBAAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容1200 pF
  • 容差±2%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-