时间：2025/7/4 18:49:35
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GA1210A122GBAAT31G是一款高性能的存储芯片，主要应用于数据存储领域。该芯片采用了先进的制造工艺，在容量、速度和可靠性方面表现出色。其设计旨在满足现代电子设备对大容量存储和快速数据访问的需求，广泛用于固态硬盘（SSD）、USB闪存盘以及嵌入式存储解决方案。
该型号属于NAND Flash系列，支持多级单元（MLC）技术，能够在每个存储单元中保存多个比特的数据，从而实现更高的存储密度。
类型：NAND Flash
接口：Toggle DDR 2.0
容量：128Gb (16GB)
工作电压：1.8V
封装形式：BGA
引脚数：84
工作温度范围：-25°C 至 +85°C
数据保留时间：10年
擦写寿命：3000次
GA1210A122GBAAT31G具有高可靠性和稳定性，采用Toggle DDR 2.0接口标准，能够提供高达400MB/s的数据传输速率。
该芯片支持ECC（错误校验与纠正）功能，可有效减少数据读取过程中的误码率，提升数据完整性。
此外，其低功耗设计使其非常适合移动设备和便携式电子产品。
在数据安全性方面，该芯片支持多种保护机制，如坏块管理、磨损均衡以及数据加密等功能，确保用户数据的安全性和持久性。
该芯片主要应用于消费类电子产品的存储解决方案中，例如固态硬盘（SSD）、USB闪存盘、存储卡以及嵌入式系统中的存储模块。
此外，由于其出色的性能和可靠性，GA1210A122GBAAT31G也被广泛用于工业控制、网络通信以及汽车电子等领域，为这些领域的设备提供稳定的大容量存储支持。
GA1210A124GBAAT31G
GA1210A128GBAAT31G
