GA1210A122GBAAT31G是一款高性能的存储芯片,主要应用于数据存储领域。该芯片采用了先进的制造工艺,在容量、速度和可靠性方面表现出色。其设计旨在满足现代电子设备对大容量存储和快速数据访问的需求,广泛用于固态硬盘(SSD)、USB闪存盘以及嵌入式存储解决方案。
该型号属于NAND Flash系列,支持多级单元(MLC)技术,能够在每个存储单元中保存多个比特的数据,从而实现更高的存储密度。
类型:NAND Flash
接口:Toggle DDR 2.0
容量:128Gb (16GB)
工作电压:1.8V
封装形式:BGA
引脚数:84
工作温度范围:-25°C 至 +85°C
数据保留时间:10年
擦写寿命:3000次
GA1210A122GBAAT31G具有高可靠性和稳定性,采用Toggle DDR 2.0接口标准,能够提供高达400MB/s的数据传输速率。
该芯片支持ECC(错误校验与纠正)功能,可有效减少数据读取过程中的误码率,提升数据完整性。
此外,其低功耗设计使其非常适合移动设备和便携式电子产品。
在数据安全性方面,该芯片支持多种保护机制,如坏块管理、磨损均衡以及数据加密等功能,确保用户数据的安全性和持久性。
该芯片主要应用于消费类电子产品的存储解决方案中,例如固态硬盘(SSD)、USB闪存盘、存储卡以及嵌入式系统中的存储模块。
此外,由于其出色的性能和可靠性,GA1210A122GBAAT31G也被广泛用于工业控制、网络通信以及汽车电子等领域,为这些领域的设备提供稳定的大容量存储支持。
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