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GA1210A121KBLAT31G 发布时间 时间:2025/6/17 17:26:52 查看 阅读:18

GA1210A121KBLAT31G 是一款高性能的功率MOSFET器件,基于先进的半导体制造工艺设计。该芯片主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等场景中。它具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能,能够在高频条件下提供高效的功率转换。

参数

型号:GA1210A121KBLAT31G
  类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压(Vds):120V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):16A
  导通电阻(Rds(on)):9.5mΩ
  总栅极电荷(Qg):37nC
  开关时间:开启时间(t_on)=18ns,关闭时间(t_off)=38ns
  工作温度范围:-55℃至+175℃
  封装形式:TO-247-3

特性

GA1210A121KBLAT31G具备以下显著特性:
  1. 高效的功率转换能力,其低导通电阻有效降低了导通损耗。
  2. 快速开关速度,有助于减少开关损耗并提高系统效率。
  3. 具有强大的过流保护功能,确保在极端条件下的可靠性。
  4. 热阻抗较低,提高了散热性能,延长了使用寿命。
  5. 宽广的工作温度范围,适应多种复杂环境的应用需求。
  6. 封装牢固耐用,适合工业级应用。

应用

该元器件广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的功率开关。
  2. DC-DC转换器中的同步整流和主开关。
  3. 电机驱动电路中的功率控制元件。
  4. 电池管理系统(BMS)中的负载切换。
  5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
  6. 可再生能源系统(如太阳能逆变器)中的功率转换组件。

替代型号

GA1210A121KBLAT31H, IRFZ44N, FDP17N12

GA1210A121KBLAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容120 pF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定630V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-