时间：2025/6/17 17:34:21
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GA1210A102GBLAT31G 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效率功率晶体管。该器件采用先进的 GaN-on-Silicon 工艺制造，适用于高频和高功率应用领域。其低导通电阻和快速开关特性使其成为电源转换、无线充电、D类音频放大器以及其他高频功率应用的理想选择。
该芯片设计紧凑，封装形式为表面贴装，有助于简化 PCB 设计并提高系统的整体性能。
类型：增强型场效应晶体管
材料：氮化镓（GaN）
Vds（漏源电压）：100V
Rds(on)（导通电阻）：10mΩ
Id（持续漏极电流）：20A
栅极电荷（Qg）：40nC
工作温度范围：-40℃ 至 +125℃
封装形式：表面贴装
这款 GaN 功率晶体管具有以下关键特性：
1. 高效率：得益于超低导通电阻和快速开关时间，可以显著降低导通损耗和开关损耗。
2. 高频率操作：适合高频开关应用，可减少磁性元件的体积和重量。
3. 热性能优异：低热阻设计确保在高功率密度下保持稳定的性能。
4. 小型化封装：表面贴装技术使得安装更加便捷，并节省了PCB空间。
5. 高可靠性：通过严格的测试标准，保证了长时间运行下的稳定性和耐用性。
GA1210A102GBLAT31G 适用于多种高要求的电力电子应用：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. DC-DC 转换器
3. 无线充电系统
4. D 类音频放大器
5. 电机驱动与控制
6. 太阳能逆变器中的高频功率处理模块
7. 快速充电适配器和其他消费类电子产品中的高效电源解决方案。
GAN063-650WSA
GAN100-100LSD
TPG2S006U
