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GA1210A101GBCAR31G 发布时间 时间:2025/7/4 18:48:00 查看 阅读:13

GA1210A101GBCAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高效功率转换的应用场景。该芯片采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够在高频工作条件下保持较高的效率。
  该型号属于沟道型 MOSFET 系列,适用于多种工业和消费类电子设备,凭借其卓越的性能和可靠性,在市场上备受青睐。

参数

最大漏源电压:120V
  连续漏极电流:10A
  导通电阻:1.5mΩ
  栅极电荷:40nC
  开关时间:ton=10ns, toff=20ns
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

GA1210A101GBCAR31G 具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),可显著降低功率损耗,提升系统效率。
  2. 快速开关性能,支持高频操作,适合现代电力电子应用需求。
  3. 高耐压能力,能够承受高达 120V 的漏源电压。
  4. 栅极驱动要求低,易于与逻辑电路接口。
  5. 提供强大的过流保护和热稳定性,确保在极端条件下的可靠性。
  6. 小尺寸封装设计,便于 PCB 布局和优化空间利用率。

应用

这款功率 MOSFET 主要应用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关元件。
  2. 各种电机驱动电路,例如步进电机、无刷直流电机等。
  3. 工业控制设备中的负载切换和功率管理。
  4. 汽车电子系统中的电池管理和配电模块。
  5. 可再生能源设备,如太阳能逆变器中的功率转换部分。
  6. 其他需要高效功率处理和快速响应的场合。

替代型号

GA1210A101GB, IRFZ44N, FDP15U60A

GA1210A101GBCAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容100 pF
  • 容差±2%
  • 电压 - 额定200V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-