GA1206Y823JBBBT31G 是一款高性能的存储芯片,属于 NAND Flash 类型。该芯片主要应用于需要大容量数据存储的场景,例如固态硬盘(SSD)、USB 闪存盘以及嵌入式系统等。其采用先进的制程工艺,具备高读写速度和低功耗的特点,同时支持多种接口协议以适应不同的设备需求。
该型号中的部分标识代表了具体的规格参数,例如存储容量、封装形式以及工作温度范围等。此外,它还具有良好的数据保持能力和耐用性,能够满足工业级或消费级产品的多样化需求。
类型:NAND Flash
存储容量:128GB
接口类型:Toggle Mode 2.0
工作电压:1.8V
封装形式:BGA
I/O 引脚数:31
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
擦写寿命:3000 次(典型值)
数据保持时间:10 年(在 25°C 下)
GA1206Y823JBBBT31G 提供了卓越的数据存储性能和可靠性。首先,它的 Toggle Mode 2.0 接口确保了高速的数据传输速率,适用于对速度有较高要求的应用场景。其次,该芯片采用了先进的 3D NAND 技术,相比传统的 2D NAND,在相同尺寸下可以提供更大的存储密度。
此外,该芯片的工作电压较低,仅为 1.8V,有助于减少功耗并延长设备续航时间。同时,它支持较宽的工作温度范围,能够在极端环境下稳定运行,这使得其非常适合用于工业控制、汽车电子以及其他恶劣环境下的应用。
GA1206Y823JBBBT31G 的擦写寿命达到 3000 次以上,足以应对大多数日常使用场景。并且其数据保持能力也十分出色,在常温条件下可保存数据长达十年之久,这对于长期存储重要信息至关重要。
GA1206Y823JBBBT31G 广泛应用于各类需要高效存储解决方案的领域。常见的应用场景包括但不限于:
- 固态硬盘(SSD)制造
- USB 闪存盘及移动存储设备
- 嵌入式系统的内部存储
- 工业自动化设备的数据记录模块
- 车载信息系统和导航设备
- 消费电子产品如智能电视、平板电脑和数码相机等
由于其出色的性能和可靠性,该芯片同样适用于对稳定性要求极高的医疗设备、通信基站以及军工航天等领域。
GA1206Y823JBBBT32G
GA1206Y823JBBBT30G
GA1206Y823JBBBT33G