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GA1206Y822MXBBR31G 发布时间 时间:2025/5/27 16:58:54 查看 阅读:5

GA1206Y822MXBBR31G 是一款高性能的工业级存储芯片,专为需要高可靠性和大容量数据存储的应用设计。该芯片采用先进的制造工艺,具备低功耗、高速读写和高耐用性的特点,适用于嵌入式系统、服务器和工业自动化设备等领域。
  该芯片属于 NAND Flash 存储器系列,支持多种接口标准,并且在恶劣环境下也能保持稳定运行。

参数

容量:8GB
  接口类型:SPI NOR Flash
  工作电压:1.7V 至 3.6V
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  封装形式:BGA
  擦写寿命:3000 次
  数据保存时间:20 年
  时钟频率:最高 104MHz
  I/O 电压:1.8V 或 3.3V

特性

GA1206Y822MXBBR31G 提供了卓越的性能和可靠性,主要特性如下:
  1. 高速读写能力,能够满足实时数据处理需求。
  2. 支持多种保护机制,包括 ECC(错误校正码)功能,确保数据完整性。
  3. 宽泛的工作温度范围,适合在极端环境条件下使用。
  4. 内置的安全功能,例如写保护和加密选项,增强了数据安全性。
  5. 小型化的封装设计,便于集成到紧凑型设备中。
  6. 兼容主流的嵌入式控制器和处理器平台,易于开发和部署。

应用

这款芯片广泛应用于以下领域:
  1. 工业控制:如 PLC 和 CNC 等设备中的程序和数据存储。
  2. 嵌入式系统:用于消费电子、智能家居和物联网终端设备的数据记录与固件升级。
  3. 通信设备:在网络路由器、交换机和其他通信基础设施中存储配置文件和日志。
  4. 医疗设备:如监护仪、超声波设备等,存储关键诊断信息和患者数据。
  5. 车载电子:在汽车黑匣子、导航系统和 ADAS 中提供可靠的存储解决方案。

替代型号

GA1206Y822MXBBR32G, GA1206Y411MXBBR31G, MX25L12833F

GA1206Y822MXBBR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容8200 pF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-