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GA1206Y822JXLBR31G 发布时间 时间:2025/7/4 18:43:50 查看 阅读:22

GA1206Y822JXLBR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,专为高频开关应用设计。该器件采用先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻、快速开关速度和高耐压能力等特点。其封装形式适合表面贴装技术(SMT),能够满足现代电子设备对小型化和高效能的需求。
  这款功率MOSFET广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动器和其他需要高效功率管理的场景中。通过优化的芯片设计,它能够在高频工作条件下保持较低的损耗,并提供出色的稳定性和可靠性。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:40A
  导通电阻:1.2mΩ
  栅极电荷:35nC
  总栅极电荷:45nC
  输入电容:1200pF
  开关时间:ton=12ns, toff=15ns
  功耗:240W
  工作温度范围:-55℃至+175℃

特性

GA1206Y822JXLBR31G 的主要特点是低导通电阻和快速开关性能。其1.2mΩ的导通电阻使得在大电流应用中损耗显著降低,从而提高效率并减少热量产生。此外,该器件的快速开关时间(开启12ns,关闭15ns)确保了在高频应用中的卓越表现。
  同时,这款MOSFET具有较高的漏源电压耐受能力(60V),可适用于多种电压等级的应用环境。先进的封装技术和内部结构设计还使其具备良好的热性能,即使在极端工作条件下也能保持稳定运行。
  另外,其超低的栅极电荷进一步减少了驱动损耗,简化了驱动电路的设计,非常适合于要求高效率和快速动态响应的系统。

应用

该器件适用于多种高频功率转换和控制场景,包括但不限于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)
  2. DC-DC转换器
  3. 电机驱动与控制
  4. 电池管理系统(BMS)
  5. 工业自动化设备中的功率调节
  6. 汽车电子系统的负载切换
  由于其低损耗和高效率特点,GA1206Y822JXLBR31G 成为了各类高性能功率管理解决方案的理想选择。

替代型号

IRFZ44N
  STP55NF06L
  FDP5500
  IXYS IXTH14N50T2

GA1206Y822JXLBR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容8200 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定630V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-