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GA1206Y684MBXBT31G 发布时间 时间:2025/7/4 18:52:10 查看 阅读:4

GA1206Y684MBXBT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电路等领域。该器件采用先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,能够在高频应用中提供高效的性能表现。
  该芯片属于 N 沟道增强型 MOSFET,其设计旨在满足高效率、小体积和高可靠性的需求。由于其出色的电气特性和热特性,GA1206Y684MBXBT31G 在工业控制、消费电子以及通信设备中均有广泛应用。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:40A
  导通电阻:4mΩ
  栅极电荷:50nC
  开关时间:ton=25ns, toff=15ns
  工作结温范围:-55℃ 至 +175℃

特性

GA1206Y684MBXBT31G 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少导通损耗并提高系统效率。
  2. 快速的开关速度,适用于高频开关应用。
  3. 高度可靠的封装设计,能够承受恶劣的工作环境。
  4. 支持大电流运行,确保在重载条件下稳定工作。
  5. 宽泛的工作温度范围,适应各种极端条件下的使用需求。
  6. 内置静电保护功能,提升器件的抗干扰能力。

应用

GA1206Y684MBXBT31G 可应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
  2. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
  3. 工业自动化设备中的负载切换与控制。
  4. 电动汽车及混合动力汽车的电池管理系统。
  5. 充电器和适配器中的功率转换模块。
  6. LED 照明驱动中的高效功率调节。

替代型号

GA1206Y684MBXBT31H, GA1206Y684MBXBT31K

GA1206Y684MBXBT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.68 μF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定25V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-