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GA1206Y684JBXBT31G 发布时间 时间:2025/6/3 15:23:21 查看 阅读:6

GA1206Y684JBXBT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于电源管理领域。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和优秀的热性能等特点,适用于各种需要高效能转换的应用场景。
  该芯片的主要特点是其出色的电气特性和可靠性,能够显著提升电路效率并降低功耗。此外,它还具备强大的抗干扰能力以及过流保护功能,确保在复杂电磁环境下的稳定运行。

参数

类型:MOSFET
  封装:TO-252
  最大漏源电压(Vds):120V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):6.8A
  导通电阻(Rds(on)):40mΩ(典型值,Vgs=10V时)
  总功耗(Ptot):15W
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  栅极电荷(Qg):30nC

特性

GA1206Y684JBXBT31G 的主要特性包括以下几点:
  1. 低导通电阻设计,有效减少导通损耗,提高整体效率。
  2. 高速开关性能,支持高频应用,适合开关电源及DC-DC转换器等场合。
  3. 强大的散热能力,能够在高温环境下保持稳定的性能输出。
  4. 内置过流保护机制,增强系统的安全性和可靠性。
  5. 封装形式紧凑,便于PCB布局和焊接操作。
  6. 广泛的工作温度范围,适应多种恶劣环境条件下的使用需求。

应用

这款功率 MOSFET 主要用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS) 中作为主开关管或同步整流管。
  2. DC-DC 转换器中实现高效的电压转换。
  3. 电机驱动电路中提供大电流驱动能力。
  4. 各类负载切换和保护电路中的关键元件。
  5. 可再生能源系统(如太阳能逆变器)中的功率转换模块。
  6. 汽车电子设备中的电源管理系统。

替代型号

IRFZ44N, FDP5500, AO3400

GA1206Y684JBXBT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.68 μF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定25V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-