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GA1206Y683MXBBT31G 发布时间 时间:2025/6/3 15:58:12 查看 阅读:6

GA1206Y683MXBBT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要应用于高频开关电源、DC-DC 转换器以及电机驱动等领域。该芯片采用先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,能够显著提升电路效率并降低功耗。
  该器件为 N 沟道增强型 MOSFET,适合在高电流和高电压环境下工作,其封装形式通常为符合行业标准的小型化表面贴装类型,便于在现代电子设备中实现高密度集成。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:31A
  导通电阻:3.5mΩ
  栅极电荷:95nC
  开关速度:超快
  工作温度范围:-55℃至175℃

特性

GA1206Y683MXBBT31G 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有效减少导通损耗。
  2. 高速开关性能,支持高频应用,降低开关损耗。
  3. 优异的热稳定性,能够在较宽的工作温度范围内保持性能一致。
  4. 内置静电保护功能,增强器件的抗干扰能力。
  5. 小型化的封装设计,有助于节省 PCB 空间。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且易于通过国际认证。

应用

这款功率 MOSFET 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)
  2. DC-DC 转换器
  3. 电机驱动与控制
  4. 电池管理系统(BMS)
  5. 工业自动化设备
  6. 汽车电子系统中的负载开关和保护电路
  由于其出色的电气特性和可靠性,该芯片成为许多高效能电子系统的理想选择。

替代型号

IRF3205
  AO3400
  FDP5500

GA1206Y683MXBBT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.068 μF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-