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GA1206Y683KBBBR31G 发布时间 时间:2025/6/9 13:12:34 查看 阅读:19

GA1206Y683KBBBR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要应用于电源管理领域。该器件采用先进的制程技术制造,具有低导通电阻、快速开关速度和高效率等特点。它广泛用于 DC-DC 转换器、电机驱动、负载开关以及各类功率变换电路中。
  这款芯片在设计上优化了热性能,能够在高电流应用中保持较低的功耗,同时具备强大的抗浪涌能力和静电保护功能,确保系统运行的稳定性和可靠性。

参数

类型:N沟道 MOSFET
  封装:LFPAK56
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):40A
  导通电阻(Rds(on)):1.5mΩ
  总栅极电荷(Qg):75nC
  输入电容(Ciss):3080pF
  输出电容(Coss):90pF
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

GA1206Y683KBBBR31G 的主要特性包括以下几点:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),能够显著降低传导损耗,提高整体效率。
  2. 快速的开关速度和较小的栅极电荷 (Qg),适合高频应用环境。
  3. 具备良好的热稳定性,能够承受较高的结温,适应恶劣的工作条件。
  4. 内置静电防护电路,增强器件的鲁棒性。
  5. 小型化封装 LFPAK56,有助于减少 PCB 占用面积并改善散热性能。
  6. 高度可靠的电气性能,适用于严苛的工业级和汽车级应用场景。

应用

该芯片适用于多种电子设备和系统,典型的应用场景包括:
  1. 开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流。
  2. 降压或升压型 DC-DC 转换器。
  3. 汽车电子中的电机控制和负载切换。
  4. 工业自动化设备中的功率调节模块。
  5. 笔记本电脑及平板电脑适配器的功率管理单元。
  6. LED 照明驱动电路中的高效开关元件。

替代型号

GA1206Y683KBBCR31G, IRF7722TRPBF

GA1206Y683KBBBR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.068 μF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-