时间：2025/6/3 15:56:02
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GA1206Y682KXBBT31G是一款高性能的功率MOSFET芯片，广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电路等领域。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能。其封装形式为TO-263，适合表面贴装，能够有效提高系统的效率和可靠性。
该型号属于增强型N沟道MOSFET，适用于需要高效能和高可靠性的应用场合。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
持续漏极电流：45A
导通电阻：1.8mΩ
总栅极电荷：85nC
输入电容：2200pF
工作温度范围：-55℃至175℃
1. 极低的导通电阻，可显著降低功率损耗。
2. 高开关速度，适合高频应用。
3. 优秀的热稳定性，能够在高温环境下长期工作。
4. 内置反向二极管，提供额外的保护功能。
5. 符合RoHS标准，环保且安全。
1. 开关电源（SMPS）中的主开关元件。
2. DC-DC转换器中的同步整流元件。
3. 电动工具和家用电器的电机驱动。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 汽车电子系统中的电源管理和控制模块。
IRFZ44N
STP45NF06L
FDP5500
IXYS GZ100N06SBD
