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GA1206Y682KXBBT31G 发布时间 时间:2025/6/3 15:56:02 查看 阅读:4

GA1206Y682KXBBT31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电路等领域。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能。其封装形式为TO-263,适合表面贴装,能够有效提高系统的效率和可靠性。
  该型号属于增强型N沟道MOSFET,适用于需要高效能和高可靠性的应用场合。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  持续漏极电流:45A
  导通电阻:1.8mΩ
  总栅极电荷:85nC
  输入电容:2200pF
  工作温度范围:-55℃至175℃

特性

1. 极低的导通电阻,可显著降低功率损耗。
  2. 高开关速度,适合高频应用。
  3. 优秀的热稳定性,能够在高温环境下长期工作。
  4. 内置反向二极管,提供额外的保护功能。
  5. 符合RoHS标准,环保且安全。

应用

1. 开关电源(SMPS)中的主开关元件。
  2. DC-DC转换器中的同步整流元件。
  3. 电动工具和家用电器的电机驱动。
  4. 工业自动化设备中的负载切换。
  5. 汽车电子系统中的电源管理和控制模块。

替代型号

IRFZ44N
  STP45NF06L
  FDP5500
  IXYS GZ100N06SBD

GA1206Y682KXBBT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容6800 pF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-