GA1206Y682JXJBR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等应用。该芯片采用了先进的半导体制造工艺,具备低导通电阻、高开关速度和优异的热性能,能够在高频工作条件下保持高效能表现。
该型号属于增强型 N 沟道 MOSFET,能够承受较高的漏源电压,并且具有良好的抗静电能力,确保在各种复杂环境下的稳定运行。
类型:N沟道MOSFET
漏源极电压(Vds):60V
连续漏极电流(Id):30A
导通电阻(Rds(on)):2.5mΩ
栅极电荷(Qg):45nC
总功耗(Ptot):120W
工作温度范围(Ta):-55℃ to +175℃
封装形式:TO-247
GA1206Y682JXJBR31G 具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 可以有效减少导通损耗,提高整体效率。
2. 高速开关性能,适合高频应用场景,能够降低开关损耗。
3. 内置过温保护功能,防止芯片因过热而损坏。
4. 大电流承载能力使其适用于高功率场合。
5. 出色的热性能设计,能够快速散热,延长使用寿命。
6. 符合 RoHS 标准,绿色环保,无铅封装。
该芯片广泛应用于各类电力电子设备中,具体包括但不限于PS),如适配器、充电器等。
2. 工业电机驱动系统,用于控制直流或无刷直流电机。
3. DC-DC 转换器,提供高效的电压转换解决方案。
4. 太阳能逆变器中的功率调节模块。
5. 电动车及混合动力车的电池管理系统(BMS)。
6. 各种需要高性能功率开关的应用场景。
IRFZ44N
FDP5800
STP36NF06L