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GA1206Y682JXJBR31G 发布时间 时间:2025/5/29 23:36:57 查看 阅读:7

GA1206Y682JXJBR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等应用。该芯片采用了先进的半导体制造工艺,具备低导通电阻、高开关速度和优异的热性能,能够在高频工作条件下保持高效能表现。
  该型号属于增强型 N 沟道 MOSFET,能够承受较高的漏源电压,并且具有良好的抗静电能力,确保在各种复杂环境下的稳定运行。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源极电压(Vds):60V
  连续漏极电流(Id):30A
  导通电阻(Rds(on)):2.5mΩ
  栅极电荷(Qg):45nC
  总功耗(Ptot):120W
  工作温度范围(Ta):-55℃ to +175℃
  封装形式:TO-247

特性

GA1206Y682JXJBR31G 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 可以有效减少导通损耗,提高整体效率。
  2. 高速开关性能,适合高频应用场景,能够降低开关损耗。
  3. 内置过温保护功能,防止芯片因过热而损坏。
  4. 大电流承载能力使其适用于高功率场合。
  5. 出色的热性能设计,能够快速散热,延长使用寿命。
  6. 符合 RoHS 标准,绿色环保,无铅封装。

应用

该芯片广泛应用于各类电力电子设备中,具体包括但不限于PS),如适配器、充电器等。
  2. 工业电机驱动系统,用于控制直流或无刷直流电机。
  3. DC-DC 转换器,提供高效的电压转换解决方案。
  4. 太阳能逆变器中的功率调节模块。
  5. 电动车及混合动力车的电池管理系统(BMS)。
  6. 各种需要高性能功率开关的应用场景。

替代型号

IRFZ44N
  FDP5800
  STP36NF06L

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GA1206Y682JXJBR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容6800 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定16V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-