时间：2025/5/27 16:59:06
阅读：10
GA1206Y564MXXBT31G 是一款高性能的存储芯片，属于 NAND Flash 存储器系列。该芯片主要用于大容量数据存储应用，支持高速数据传输和高可靠性操作。其设计适合于需要高密度存储和低功耗的设备，例如智能手机、平板电脑、固态硬盘（SSD）以及其他嵌入式系统。
该型号采用先进的工艺制程，具备多级单元（MLC）或三级单元（TLC）技术，提供更大的存储容量和更长的数据保存时间。同时，它还集成了强大的纠错码（ECC）功能以提升数据完整性。
类型：NAND Flash
容量：128GB
接口：Toggle Mode 2.0
工作电压：1.8V
封装形式：BGA
引脚数：169
数据传输速率：最高400MT/s
工作温度范围：-40℃至+85℃
擦写寿命：3000次（TLC）
GA1206Y564MXXBT31G 具有以下显著特点：
1. 高存储密度：通过使用 TLC 技术，能够在较小的芯片面积内实现大容量存储。
2. 高速数据传输：支持 Toggle Mode 2.0 接口，能够以高达 400MT/s 的速度进行数据交换。
3. 可靠性与耐用性：内置强大的 ECC 引擎，可有效检测和纠正数据错误，确保长时间稳定运行。
4. 低功耗设计：在待机和工作模式下均具有较低的功耗表现，适合移动设备使用。
5. 广泛的工作温度范围：适用于工业和消费电子领域中的多种环境条件。
该芯片广泛应用于以下场景：
1. 智能手机和平板电脑的内部存储。
2. 固态硬盘（SSD）的核心存储组件。
3. 嵌入式系统的数据记录和存储。
4. 数码相机和摄像机的大容量存储需求。
5. 工业控制和物联网设备中的数据存储模块。
GA1206Y512MXXBT31G
GA1206Y256MXXBT31G
GA1206Y128MXXBT31G
