时间：2025/6/18 17:15:52
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GA1206Y564MBXBT31G 是一款高性能的存储芯片，主要应用于数据存储和处理系统中。该芯片采用先进的制程工艺，具有高密度、低功耗以及快速读写速度的特点。
该型号通常用于企业级存储设备、服务器、网络附加存储（NAS）等场景，能够提供稳定可靠的数据存储解决方案。
类型：NAND Flash
接口：PCIe NVMe
容量：1TB
电压：1.8V
工作温度：0℃ 至 70℃
封装形式：BGA
最大读取速度：3500 MB/s
最大写入速度：3000 MB/s
GA1206Y564MBXBT31G 提供卓越的性能表现，特别是在高负载环境下的持续读写能力非常突出。它采用了最新的 NAND 技术，支持多级单元（MLC），在保证数据安全的同时优化了成本。
此外，这款芯片内置 ECC（错误检查与纠正）引擎，可以有效提升数据完整性，并通过智能磨损平衡算法延长使用寿命。其低延迟特性和高 IOPS（每秒输入输出次数）使其成为需要高效数据传输应用的理想选择。
GA1206Y564MBXBT31G 广泛应用于以下领域：
1. 企业级存储解决方案
2. 数据中心和云计算平台
3. 高性能计算（HPC）系统
4. 网络附加存储（NAS）设备
5. 工业控制与自动化系统中的数据记录模块
6. 视频监控系统的长期数据存储
由于其高性能和可靠性，这款芯片非常适合对速度和稳定性要求较高的场合。
GA1206Y564MBXBT32G, GA1208Y564MBXBT31G
