时间：2025/5/21 20:30:36
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GA1206Y564KBXBT31G 是一款高性能的存储芯片，属于 NAND Flash 类型。它主要用于大容量数据存储需求的应用场景中，具有高可靠性、快速读写速度和低功耗的特点。该型号适用于消费电子、工业设备以及嵌入式系统等领域的数据存储解决方案。
该芯片基于先进的工艺制程制造，支持多种接口协议以适应不同应用场景的需求，并提供稳定的数据传输性能。
容量：128GB
接口类型：Toggle DDR 2.0
工作电压：1.8V
封装形式：BGA
引脚数：169
数据传输速率：400MT/s
擦写寿命：3000次
工作温度范围：-25℃至+85℃
GA1206Y564KBXBT31G 具备以下主要特性：
1. 高容量设计，适合需要大存储空间的应用。
2. 支持高速数据传输，满足实时数据处理的需求。
3. 使用先进的 Toggle DDR 2.0 接口技术，确保高效稳定的通信能力。
4. 内置 ECC（Error Correction Code）引擎，提升数据可靠性和完整性。
5. 具有较低的工作电压，有助于降低整体系统的能耗。
6. 广泛的工作温度范围，使其能够在多种环境下正常运行。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 智能手机和平板电脑中的内部存储。
2. SSD（固态硬盘）作为计算机的主要存储介质。
3. 工业控制设备中的数据记录与保存。
4. 车载信息系统及娱乐系统的数据存储。
5. 网络通信设备中的缓存和日志存储功能。
6. 可穿戴设备和其他便携式电子产品中的存储模块。
GA1206Y512KBXBT31G
GA1206Y256KBXBT31G
