GA1206Y394MXXBR31G 是一款高性能的功率半导体器件,属于 MOSFET 类型。该芯片广泛应用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等需要高效率和低损耗的应用场景中。
这款器件采用了先进的制造工艺,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,从而显著提高了系统的整体性能和能效。
类型:MOSFET
最大漏源电压(Vds):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):120A
导通电阻(Rds(on)):1.2mΩ
总功耗:250W
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
封装形式:TO-247-3
GA1206Y394MXXBR31G 具备以下关键特性:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有助于降低导通损耗并提高系统效率。
2. 高速开关性能,能够支持高频应用,减少磁性元件的体积和重量。
3. 优化的热设计,确保在高电流负载下的稳定运行。
4. 增强的静电放电 (ESD) 保护功能,提高了产品的可靠性和耐用性。
5. 符合 RoHS 标准,环保且适合全球市场部署。
该型号适用于以下应用场景:
1. 开关模式电源 (SMPS) 和不间断电源 (UPS) 系统。
2. 工业电机控制和伺服驱动器。
3. 新能源领域中的光伏逆变器和储能设备。
4. 汽车电子系统中的直流转换模块。
5. 各类需要高效功率转换的工业及消费类电子产品。
IRFP2907ZPBF, FDP18N10E, IXFH12N50P