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GA1206Y394JBABT31G 发布时间 时间:2025/6/3 15:19:24 查看 阅读:5

GA1206Y394JBABT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器和电机驱动等领域。该芯片采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高效率的特点,能够显著降低功耗并提升系统性能。
  该器件属于 N 沟道增强型 MOSFET,支持高频开关应用,并且具备出色的热稳定性和电气特性。其封装形式经过优化设计,以适应紧凑型电子设备的需求。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:35A
  导通电阻:2.5mΩ
  栅极电荷:85nC
  开关速度:超高速
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

GA1206Y394JBABT31G 具备以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻,有效减少传导损耗,提升整体效率。
  2. 高速开关能力,适用于高频应用场合,如开关电源和 DC-DC 转换器。
  3. 出色的热稳定性,确保在高温环境下仍能保持稳定的性能。
  4. 小型化封装设计,适合空间受限的应用场景。
  5. 强大的抗浪涌能力和鲁棒性,能够在恶劣条件下可靠运行。
  6. 支持宽范围的工作温度,满足工业及汽车级应用需求。

应用

该芯片主要应用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 AC-DC 转换器。
  2. 各类 DC-DC 转换器,包括降压、升压和反相转换器。
  3. 电机驱动和控制电路。
  4. 电池管理系统 (BMS) 中的充放电保护。
  5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
  6. 汽车电子系统中的负载开关和逆变器。
  7. 其他需要高效功率切换的场景。

替代型号

IRF3205
  FDP5570
  AON6802

GA1206Y394JBABT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.39 μF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-