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GA1206Y393KBJBR31G 发布时间 时间:2025/6/3 15:57:37 查看 阅读:5

GA1206Y393KBJBR31G 是一款高性能的 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于功率半导体器件。该型号主要应用于高效率电源转换、电机驱动以及各种开关电路中,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,能够显著降低能耗并提高系统性能。
  此芯片通常用于工业控制、通信设备及消费类电子产品等领域,其出色的电气特性和可靠性使其成为众多设计工程师的理想选择。

参数

类型:MOSFET
  封装形式:TO-247
  Vds(漏源极耐压):1200V
  Rds(on)(导通电阻):39mΩ
  Id(持续漏电流):60A
  Qg(栅极电荷):125nC
  Ciss(输入电容):3580pF
  fsw(最大开关频率):50kHz
  Tj(结温范围):-55℃ 至 +175℃

特性

GA1206Y393KBJBR31G 具有以下关键特性:
  1. 高电压能力:支持高达 1200V 的漏源极耐压,适用于高压环境下的应用。
  2. 低导通电阻:仅为 39mΩ 的 Rds(on),有效减少导通损耗。
  3. 快速开关性能:具备较低的栅极电荷 Qg 和较高的开关频率 fsw,适合高频应用。
  4. 高电流承载能力:最大 Id 可达 60A,满足大功率需求。
  5. 广泛的工作温度范围:能够在 -55℃ 至 +175℃ 的极端温度条件下稳定工作。
  6. 稳定性与可靠性:采用先进的制造工艺,确保长期使用的稳定性。

应用

该元器件广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS):作为主开关管,在 DC-DC 转换器和 AC-DC 适配器中使用。
  2. 电机驱动:在无刷直流电机 (BLDC) 和步进电机控制系统中充当功率级元件。
  3. 太阳能逆变器:用于光伏系统的能量转换部分。
  4. 工业自动化:例如伺服驱动器、PLC 输出模块等需要高效功率切换的应用。
  5. 汽车电子:包括电动助力转向系统 (EPS) 和电池管理系统 (BMS) 等。
  6. 充电器:快充技术中的关键功率处理组件。

替代型号

IRGB14SC60D
  FQA60P120
  STW80NM60
  IXGH60N120T
  INF60P120K

GA1206Y393KBJBR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.039 μF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定16V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-