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GA1206Y393JXJBR31G 发布时间 时间:2025/5/30 22:22:57 查看 阅读:9

GA1206Y393JXJBR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等应用领域。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,能够显著提升系统的效率和可靠性。
  这款MOSFET属于N沟道增强型,适合用于高频开关应用场景。其封装形式和电气特性经过优化设计,确保在严苛的工作条件下依然保持稳定性能。

参数

类型:N沟道增强型 MOSFET
  最大漏源电压(Vds):120V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):60A
  导通电阻(Rds(on)):3.5mΩ
  总功耗(Ptot):250W
  结温范围(Tj):-55℃ to +175℃
  封装形式:TO-247-3

特性

GA1206Y393JXJBR31G 具有以下显著特性:
  1. 低导通电阻:Rds(on)仅为3.5mΩ,大幅降低传导损耗,提升系统效率。
  2. 高电流承载能力:连续漏极电流高达60A,满足大功率应用需求。
  3. 快速开关性能:具备较低的栅极电荷和输出电荷,支持高频工作。
  4. 良好的热性能:采用高效的散热封装,有助于延长器件寿命。
  5. 宽工作温度范围:支持从-55℃到+175℃的结温范围,适应各种恶劣环境。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS):作为主功率开关,提供高效能量转换。
  2. DC-DC转换器:用于降压或升压电路,实现稳定的电压输出。
  3. 电机驱动:适用于工业自动化、家用电器中的无刷直流电机控制。
  4. 电池管理系统(BMS):用作保护开关,防止过流或短路。
  5. 可再生能源设备:如太阳能逆变器和风力发电系统中的功率转换模块。

替代型号

IRFP260N, FDP18N12P, STW13NM60D

GA1206Y393JXJBR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.039 μF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定16V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-