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GA1206Y392JBXBR31G 发布时间 时间:2025/6/9 12:59:45 查看 阅读:44

GA1206Y392JBXBR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于开关电源、电机驱动以及 DC-DC 转换器等应用领域。该器件采用了先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻和高效率的特点,能够有效降低系统能耗并提高整体性能。
  这款芯片属于 N 沟道增强型 MOSFET,其设计旨在满足现代电子设备对高效能和小型化的需求。它具备快速开关速度和良好的热稳定性,适用于多种工业和消费类电子产品。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  持续漏极电流(Id):12A
  导通电阻(Rds(on)):3.5mΩ(典型值,在 Vgs=10V 时)
  输入电容(Ciss):1050pF
  输出电容(Coss):180pF
  开关速度:快速
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C

特性

GA1206Y392JBXBR31G 具备以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗并提高效率。
  2. 快速开关速度,支持高频操作,适合开关电源和 DC-DC 转换器。
  3. 高电流承载能力,使其在高功率应用场景中表现出色。
  4. 宽广的工作温度范围,确保在恶劣环境下仍能可靠运行。
  5. 良好的热稳定性和耐用性,延长了产品的使用寿命。
  6. 小型封装设计,节省电路板空间,便于实现紧凑型解决方案。

应用

该型号广泛应用于各类电力电子系统,包括但不限于以下场景:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的功率转换级。
  2. 各种类型的 DC-DC 转换器,例如降压、升压或反激式转换器。
  3. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
  4. 工业自动化设备中的负载切换和保护电路。
  5. 新能源汽车及电池管理系统中的关键组件。
  6. 高效 LED 驱动器和其他需要高性能功率管理的应用。

替代型号

IRFZ44N, FDP5500, AO3400

GA1206Y392JBXBR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容3900 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定25V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-