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GA1206Y334MBJBT31G 发布时间 时间:2025/5/27 16:57:43 查看 阅读:10

GA1206Y334MBJBT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等领域。该芯片采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻和高效率的特点,能够显著降低功耗并提升系统性能。
  这款器件适用于需要高效能和高可靠性的工业和消费类电子应用。其封装形式紧凑,适合高密度电路板设计。

参数

型号:GA1206Y334MBJBT31G
  类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压Vds:60V
  最大栅源电压Vgs:±20V
  持续漏极电流Id:31A
  导通电阻Rds(on):2.8mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  栅极电荷Qg:95nC(典型值)
  开关速度:快速
  工作温度范围:-55℃至+175℃

特性

GA1206Y334MBJBT31G 具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗并提高整体效率。
  2. 快速的开关速度,能够在高频应用中提供卓越的性能。
  3. 高额定电流能力,满足大功率应用需求。
  4. 耐热增强型封装设计,改善散热性能。
  5. 宽工作温度范围,确保在极端环境下的可靠性。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且安全。

应用

该芯片适用于以下应用场景:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率转换。
  2. 电动工具和家用电器的电机驱动控制。
  3. 汽车电子系统的负载切换。
  4. 工业自动化设备中的电源管理。
  5. 各种 DC-DC 转换器和逆变器设计。
  6. 高效节能的 LED 驱动电路。

替代型号

GA1206Y334MBJBT32G, IRF3205, AO3400

GA1206Y334MBJBT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.33 μF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定16V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-