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GA1206Y334JBJBT31G 发布时间 时间:2025/5/30 20:43:05 查看 阅读:21

GA1206Y334JBJBT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要应用于开关电源、电机驱动和负载切换等领域。该芯片采用先进的制造工艺,具备高效率、低导通电阻和优异的热性能,能够显著提升系统的整体性能。
  这款 MOSFET 属于 N 沟道增强型器件,具有快速开关速度和较低的栅极电荷特性,非常适合高频应用环境。其封装形式支持表面贴装技术(SMD),便于自动化生产和紧凑型设计。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  额定电压:60V
  额定电流:30A
  导通电阻:3.5mΩ(典型值)
  栅极电荷:45nC(最大值)
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-263 (D2PAK)

特性

GA1206Y334JBJBT31G 的主要特性包括:
  1. 低导通电阻(Rds(on)),可有效降低传导损耗,提高系统效率。
  2. 快速开关速度和较低的栅极电荷,适合高频应用。
  3. 强大的过流能力和短路耐受能力,提升了器件的可靠性。
  4. 支持高温运行,适应恶劣的工作环境。
  5. 封装设计具备良好的散热性能,确保长期稳定运行。
  6. 符合 RoHS 标准,绿色环保。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率开关元件。
  2. 电机驱动电路中的功率控制。
  3. 电池管理系统(BMS)中的负载切换开关。
  4. 工业自动化设备中的功率调节模块。
  5. LED 驱动器中的功率级组件。
  6. 各类高频逆变器和转换器的核心元件。

替代型号

IRFZ44N
  STP30NF06L
  FDP5800

GA1206Y334JBJBT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.33 μF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定16V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-