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GA1206Y333JBABR31G 发布时间 时间:2025/6/28 17:40:38 查看 阅读:9

GA1206Y333JBABR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于开关电源、电机驱动和负载切换等应用。该芯片采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能,能够有效提高系统的效率和可靠性。
  该器件属于 N 沟道增强型 MOSFET,适合于高频开关应用场合。其封装形式为行业标准的小尺寸封装,便于 PCB 布局设计,同时支持表面贴装工艺以满足自动化生产的需要。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:33A
  导通电阻:3.5mΩ
  栅极电荷:78nC
  开关速度:超高速
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

1. 极低的导通电阻(3.5mΩ),可显著降低导通损耗,提升系统效率。
  2. 高额定电流能力(33A),适用于大功率应用场景。
  3. 快速开关特性,减少开关损耗并支持高频操作。
  4. 优化的热性能设计,确保在高负载条件下的稳定运行。
  5. 提供强大的静电防护功能,增强了器件的鲁棒性。
  6. 符合 RoHS 标准,环保无铅封装。

应用

1. 开关电源(SMPS)
  2. DC/DC 转换器
  3. 电机驱动控制
  4. 电池保护电路
  5. 工业自动化设备中的负载切换
  6. 汽车电子系统中的电源管理模块

GA1206Y333JBABR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.033 μF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-