时间：2025/6/24 13:52:04
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GA1206Y331KXLBR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要应用于高效率开关电源、电机驱动以及 DC-DC 转换等场景。该芯片采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关特性，能够在高频工作条件下保持较低的损耗。
这款器件通常以表面贴装形式提供，适合自动化生产，并且具备出色的热性能，有助于提升系统的整体可靠性。
型号：GA1206Y331KXLBR31G
类型：N-Channel MOSFET
漏源极电压(Vds)：60V
连续漏极电流(Id)：33A
栅极电荷(Qg)：48nC
导通电阻(Rds(on))：3.5mΩ
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-263 (D2PAK)
最大功耗：290W
GA1206Y331KXLBR31G 具备以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，仅为 3.5mΩ，能够有效降低导通损耗。
2. 快速开关能力，栅极电荷 Qg 仅为 48nC，确保在高频应用中实现高效能表现。
3. 高电流承载能力，额定漏极电流可达 33A，适用于大功率系统。
4. 宽泛的工作温度范围 (-55℃ 至 +175℃)，适应各种严苛环境。
5. 封装形式为 TO-263（D2PAK），具有良好的散热性能并支持表面贴装技术 (SMT)。
6. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
GA1206Y331KXLBR31G 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器和主开关管。
2. 电动工具、家用电器和工业设备中的电机驱动。
3. DC-DC 转换器中的高频功率开关。
4. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关产品。
5. 汽车电子系统中的负载切换和电池管理。
6. 各种需要高效率、大电流处理能力的电路设计。
GA1206Y331KXLBQ21G
IRFZ44N
FDP5800
AUIRF840PBF
