时间：2025/5/22 16:44:43
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GA1206Y273MXBBR31G是一款高性能的工业级存储芯片，主要用于数据记录与存储功能。该芯片采用先进的制程工艺制造，具备高可靠性和低功耗的特点，适合在各种恶劣环境下工作。其内部集成了大容量闪存阵列和控制电路，能够实现快速的数据写入、读取和擦除操作。
类型：NAND Flash
容量：128GB
接口：PCIe Gen4 x4
工作电压：1.8V/3.3V
工作温度范围：-40℃至+85℃
封装形式：BGA
尺寸：16mm x 24mm x 1.5mm
数据传输速率：最高可达5000MB/s（读）和4500MB/s（写）
平均无故障时间：200万小时
GA1206Y273MXBBR31G具有以下显著特性：
1. 高速数据传输能力，适用于需要实时处理大量数据的应用场景。
2. 内置ECC（Error Correction Code）引擎，可有效提升数据的完整性和可靠性。
3. 支持磨损均衡算法，延长存储器使用寿命。
4. 具备断电保护机制，在突然掉电情况下仍能保证数据安全。
5. 符合RoHS标准，环保且符合国际法规要求。
6. 支持多种加密技术，保障数据安全性。
该芯片广泛应用于嵌入式系统、工业计算机、网络设备、医疗设备、安防监控以及其他需要高可靠性和大容量存储的领域。此外，它也常被用作服务器和数据中心的数据存储解决方案，满足对性能和稳定性的严格要求。
GA1206Y273MXBBR32G, GA1206Y273MXBBR30G
